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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
38
读取速度,GB/s
13.8
15.4
写入速度,GB/s
8.4
12.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3147
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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