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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
45
左右 40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
45
读取速度,GB/s
13.8
10.0
写入速度,GB/s
8.4
8.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2414
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
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