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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
8.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
5.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
41
读取速度,GB/s
13.8
8.2
写入速度,GB/s
8.4
5.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1704
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
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