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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
38
读取速度,GB/s
13.8
14.0
写入速度,GB/s
8.4
10.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2055
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
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Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston ACR512X64D3U16C11G 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
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