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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.8
17.2
写入速度,GB/s
8.4
12.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3017
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991586 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
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Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
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