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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.8
10.9
写入速度,GB/s
8.4
10.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2587
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
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