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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
57
左右 53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
57
读取速度,GB/s
13.8
9.3
写入速度,GB/s
8.4
7.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2233
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
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