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PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.8
15.3
写入速度,GB/s
8.4
9.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2658
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
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Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
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