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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
38
左右 -52% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.1
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
25
读取速度,GB/s
16.7
14.3
写入速度,GB/s
10.0
11.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2789
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB RAM的比较
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
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Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre 0000 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
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