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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
38
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
31
读取速度,GB/s
16.7
19.9
写入速度,GB/s
10.0
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3357
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
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