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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
16.7
18.1
写入速度,GB/s
10.0
16.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3606
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
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