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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
38
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
26
读取速度,GB/s
16.7
19.0
写入速度,GB/s
10.0
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3559
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB RAM的比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
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