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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
16.7
17.9
写入速度,GB/s
10.0
15.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3733
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
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