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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
38
左右 -9% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.7
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
35
读取速度,GB/s
16.7
16.5
写入速度,GB/s
10.0
14.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3534
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Maxsun MSD416G26Q3 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
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