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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
38
左右 -9% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.7
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
35
读取速度,GB/s
16.7
16.5
写入速度,GB/s
10.0
14.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3534
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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