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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.5
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
29
读取速度,GB/s
16.7
20.6
写入速度,GB/s
10.0
17.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3936
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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