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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
38
左右 -23% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
31
读取速度,GB/s
16.7
16.3
写入速度,GB/s
10.0
12.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3120
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Inmos + 256MB
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