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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 -31% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.3
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
29
读取速度,GB/s
16.7
15.7
写入速度,GB/s
10.0
13.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3159
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
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