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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB

总分
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

总分
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB

差异 规格 评论

差异

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB 需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 38
    左右 -15% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.7 left arrow 16.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.8 left arrow 10.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    38 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 19.7
  • 写入速度，GB/s
    10.0 left arrow 14.8
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2753 left arrow 3401

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Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
内存RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
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