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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
38
左右 -90% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
20
读取速度,GB/s
16.7
18.9
写入速度,GB/s
10.0
12.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3244
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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