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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
差异
规格
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
38
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
31
读取速度,GB/s
16.7
17.0
写入速度,GB/s
10.0
12.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3120
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
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