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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
38
左右 -19% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.8
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
32
读取速度,GB/s
16.7
16.0
写入速度,GB/s
10.0
10.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2949
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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