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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 -15% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
33
读取速度,GB/s
16.7
16.4
写入速度,GB/s
10.0
12.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2949
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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