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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
39
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.4
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
39
读取速度,GB/s
16.7
14.8
写入速度,GB/s
10.0
10.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2571
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Frequency (Mhz) *
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
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