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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
27
读取速度,GB/s
16.7
17.7
写入速度,GB/s
10.0
13.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3198
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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