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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 -27% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.1
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
30
读取速度,GB/s
16.7
16.1
写入速度,GB/s
10.0
11.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2962
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
INTENSO M418039 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
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