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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
38
左右 -19% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.7
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
32
读取速度,GB/s
16.7
16.6
写入速度,GB/s
10.0
12.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3249
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
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