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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
38
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.6
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.4
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
24
读取速度,GB/s
16.7
21.6
写入速度,GB/s
10.0
19.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
4250
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
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