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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
38
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
21.0
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
21
读取速度,GB/s
16.7
20.9
写入速度,GB/s
10.0
21.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
4250
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
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