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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
27
读取速度,GB/s
16.7
19.5
写入速度,GB/s
10.0
15.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3631
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
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Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
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