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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Kingston 9905712-035.A00G 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.5
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
37
读取速度,GB/s
16.7
14.7
写入速度,GB/s
10.0
10.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2461
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
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