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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Kingston 9965596-019.B01G 4GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
39
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
7.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
39
读取速度,GB/s
16.7
7.6
写入速度,GB/s
10.0
7.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
1868
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
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