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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
50
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
50
读取速度,GB/s
16.7
10.0
写入速度,GB/s
10.0
7.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2159
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
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