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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
33
读取速度,GB/s
16.7
17.8
写入速度,GB/s
10.0
12.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3285
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
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