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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
38
左右 -9% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
35
读取速度,GB/s
16.7
15.7
写入速度,GB/s
10.0
11.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2767
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston 992RE04G800UV-FCDT 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
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