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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
71
左右 46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
71
读取速度,GB/s
16.7
15.5
写入速度,GB/s
10.0
8.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
1902
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
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