PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB vs EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

总分
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PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB

PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB

总分
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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

差异

  • 更高的内存带宽,mbps
    12800 left arrow 10600
    左右 1.21% 更高的带宽
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    33 left arrow 61
    左右 -85% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    14.3 left arrow 6.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    9.1 left arrow 5.2
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    61 left arrow 33
  • 读取速度,GB/s
    6.3 left arrow 14.3
  • 写入速度,GB/s
    5.2 left arrow 9.1
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1287 left arrow 2667
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RAM 1
RAM 2

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