PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB против EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB

PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB

Средняя оценка
star star star star star
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

Различия

  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 10600
    Около 1.21% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    33 left arrow 61
    Около -85% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.3 left arrow 6.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.1 left arrow 5.2
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    61 left arrow 33
  • Скорость чтения, Гб/сек
    6.3 left arrow 14.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.2 left arrow 9.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1287 left arrow 2667
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения