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PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB vs EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

総合得点
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PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB

PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB

総合得点
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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB 考慮すべき理由
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21% 高帯域
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB 考慮すべき理由
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 61
    周辺 -85% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 6.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 5.2
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    61 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    6.3 left arrow 14.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.2 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1287 left arrow 2667

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