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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
9.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 -15% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
33
读取速度,GB/s
16.7
15.1
写入速度,GB/s
10.0
9.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2590
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
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