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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
52
左右 27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
10.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
52
读取速度,GB/s
16.7
10.3
写入速度,GB/s
10.0
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2390
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
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