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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 -15% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
33
读取速度,GB/s
16.7
15.0
写入速度,GB/s
10.0
8.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2524
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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