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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
90
左右 58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
90
读取速度,GB/s
16.7
15.6
写入速度,GB/s
10.0
8.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
1743
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
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