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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
61
左右 38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
61
读取速度,GB/s
16.7
17.6
写入速度,GB/s
10.0
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2113
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 99U5403-002.A00G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
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