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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
61
左右 38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
61
读取速度,GB/s
16.7
17.6
写入速度,GB/s
10.0
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2113
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
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A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL11-4GBSQ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
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