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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
40
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
40
读取速度,GB/s
16.7
16.1
写入速度,GB/s
10.0
13.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3028
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
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