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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB

总分
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB

差异 规格 评论

差异

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB 需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 38
    左右 -31% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.8 left arrow 16.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.3 left arrow 10.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    38 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 18.8
  • 写入速度，GB/s
    10.0 left arrow 14.3
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2753 left arrow 3611

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较

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Samsung M393B2G70EB0-YK0 16GB
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
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Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
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Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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