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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
比较
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
总分
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
79
左右 -119% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,468.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
79
36
读取速度,GB/s
3,061.8
13.5
写入速度,GB/s
1,468.1
11.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
422
2381
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB RAM的比较
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB RAM的比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
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