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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
43
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
22
读取速度,GB/s
13.2
18.2
写入速度,GB/s
9.3
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
3138
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
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