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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
差异
规格
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
49
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
34
读取速度,GB/s
10.1
14.8
写入速度,GB/s
7.8
11.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2826
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
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Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
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