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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
比较
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
总分
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
106
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
2,069.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
106
42
读取速度,GB/s
3,273.7
13.3
写入速度,GB/s
2,069.2
9.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
734
2427
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
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Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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