RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Comparez
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Note globale
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
106
Autour de -152% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
2,069.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
106
42
Vitesse de lecture, GB/s
3,273.7
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,069.2
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
734
2427
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Comparaison des RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link